Оперативная память HP

частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1333 МГц, CL 9T

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц

частота 1333 МГц, CL 9T

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В