Оперативная память

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 8200 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-84, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-102, напряжение 1.35 В

192 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-84, напряжение 1.25 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц

48 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В