Оперативная память

частота 1066 МГц

128 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2933 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-84, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В

двухканальный (2 модуля), частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52, напряжение 1.45 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

128 ГБ, 8 модулей DDR5 DIMM Registered по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-39-39-96, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В