Найдено 888 товаров
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Transcend TS6500, микросхемы MLC, последовательный доступ: 560/460 МБайт/с, случайный доступ: 75000/75000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Transcend TS6500, микросхемы MLC, последовательный доступ: 560/460 МБайт/с, случайный доступ: 75000/75000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/90000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/90000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 250000/550000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 250000/550000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6600/5000 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6600/5000 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D NAND TLC, последовательный доступ: 500/490 MBps, случайный доступ: 72000/33000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D NAND TLC, последовательный доступ: 500/490 MBps, случайный доступ: 72000/33000 IOps
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/1400 МБайт/с
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/1400 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D V-NAND, последовательный доступ: 3500/2100 MBps, случайный доступ: 440000/360000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D V-NAND, последовательный доступ: 3500/2100 MBps, случайный доступ: 440000/360000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 11500/9000 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 11500/9000 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6200 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6200 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/800 MBps, случайный доступ: 110000/95000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/800 MBps, случайный доступ: 110000/95000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 4900/4400 МБайт/с, случайный доступ: 550000/500000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 4900/4400 МБайт/с, случайный доступ: 550000/500000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/490 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/490 MBps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 Мбит/с, случайный доступ: 87000/80000 IOps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 Мбит/с, случайный доступ: 87000/80000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 500/330 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 500/330 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps