Найдено 858 товаров
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2400 MBps, случайный доступ: 200000/256000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2400 MBps, случайный доступ: 200000/256000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
480 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/700 МБайт/с, случайный доступ: 280000/40000 IOps
480 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/700 МБайт/с, случайный доступ: 280000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 561/523 MBps, случайный доступ: 82000/81000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 561/523 MBps, случайный доступ: 82000/81000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Phison PS5012-E12S, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Phison PS5012-E12S, микросхемы 3D TLC NAND
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 93000/105000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 93000/105000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 460/430 MBps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 460/430 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2200/1200 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2200/1200 МБайт/с
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 30000/65000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 30000/65000 IOps
256 ГБ, M.2 2230, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1650 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
256 ГБ, M.2 2230, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1650 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
2 ТБ, M.2 2242, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
2 ТБ, M.2 2242, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps