Процессоры Intel

Alder Lake, LGA1700, 2 ядра, частота 3.7 ГГц, кэш 2.5 МБ + 6 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 46W

Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, частота 3.2/2.2 ГГц, кэш 14 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.6/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

Cooper Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 3.7/2 ГГц, кэш 1 МБ + 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/2.6 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 125W

2020 г, Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, 8 потоков, частота 4.3/3.6 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 65W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 3.5/2.1 ГГц, кэш 1.5 Мб + 9 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

2023 г, Emerald Rapids, LGA4677, 24 ядра, 48 потоков, частота 3.7/2.2 ГГц, кэш 45 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W

Ice Lake, LGA4189, 36 ядер, частота 3.5/2.4 ГГц, кэш 54 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 250W

Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.4/2.5 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 16 ядер, 32 потока, частота 4/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 8 ядер, 16 потоков, частота 3.6/2.8 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR4, TDP 105W

Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 3.2/2.1 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 20 ядер, 20 потоков, частота 5.5/3.9 ГГц, кэш 36 МБ + 30 МБ, техпроцесс 3 нм, TDP 125W

Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.7 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 3.4/2.1 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 270W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 26 ядер, 52 потока, частота 3.4/2.2 ГГц, кэш 39 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR4, TDP 185W

2020 г, Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, 20 потоков, частота 3.2/2.4 ГГц, кэш 13.75 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 100W

Sandy Bridge-EP, 8 ядер, частота 2 ГГц, кэш 2 МБ + 20 МБ, техпроцесс 32 нм, сокет LGA2011, TDP 95W

Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 3.4/2 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 250W

Sandy Bridge-EP, 6 ядер, частота 2.5 ГГц, кэш 1.5 МБ + 15 МБ, техпроцесс 32 нм, сокет LGA2011, TDP 95W