Оперативная память AMD

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-38, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6400 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 7200 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6800 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46, напряжение 1.1 В