Оперативная память G.Skill
Найдено 208 товаров
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-83, напряжение 1.1 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3636F16GX2-RM5NRK
2 788,05 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В
Оперативная память G.Skill Aegis F4-2666C19D-32GIS
1 380,00 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39-76, напряжение 1.1 В
- 2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 34T, тайминги 34-34-34-76, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- двойной двухканальный (4 модуля), частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 4 ГБ, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время