Оперативная память G.Skill

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-21-21-41, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-115, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-18-18-38, напряжение 1.45 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-48-48-96, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

8 модулей, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-96, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 34T, тайминги 34-34-34-76, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В