Оперативная память Samsung
Найдено 16 товаров
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
2 538,00 р.руб.
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
![Samsung 8GB DDR4 PC4-19200 [M378A1K43CB2-CRC]](/content/5/thumbs/1/96/49/1294996/w4YsN0QcNV.jpg)
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M324R4GA3BB0-CQK
5 921,60 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M393A2K40CB1-CRC
1 123,00 р.руб.
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
- 4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M393A2K40BB2-CTD
1 284,00 р.руб.
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M393A2K43CB2-CTD
1 662,00 р.руб.
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время