Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52-134, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

частота 1600 МГц, CL 11T

модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2133 МГц, тайминги 15-15-15-36, напряжение питания 1.2 В

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6-18, напряжение 1.8 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52-134, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В