Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52, напряжение 1.45 В

двухканальный (2 модуля), частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-31, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

128 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В