Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 48T, тайминги 48-48-48, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

128 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

48 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В