Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В

двухканальный (2 модуля), частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39-76, напряжение 1.1 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-44-44-96, напряжение 1.4 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8200 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-84, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.2 В