Оперативная память

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 36T, тайминги 36-39-39-76, напряжение 1.3 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-104, напряжение 1.4 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В