Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 36T, тайминги 36-39-39-76, напряжение 1.3 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8200 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-84, напряжение 1.45 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52, напряжение 1.45 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В