SSD

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/5700 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1390000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1.92 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 280000/250000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6400 МБайт/с, случайный доступ: 800000/130000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6800 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/700000 IOps, DRAM-буфер

250 ГБ, M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/330 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps

1 ТБ, M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 55000/72000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/445 МБайт/с

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 5300/4600 МБайт/с, случайный доступ: 480000/620000 IOps

3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/60000 IOps

960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 MBps, случайный доступ: 90000/220000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3900 МБайт/с, случайный доступ: 770000/950000 IOps, SLC-кэш

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps