SSD

1.6 ТБ, 2.5", SAS 4 (24G), микросхемы TLC, последовательный доступ: 4200/3400 МБайт/с, случайный доступ: 720000/320000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/4100 МБайт/с, случайный доступ: 800000/570000 IOps, совместимость с PS5

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2350 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps

3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1400/850 MBps, случайный доступ: 226/196 IOps

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 214000/243000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SAS 3

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 4800/4600 МБайт/с, случайный доступ: 400000/530000 IOps, совместимость с PS5

M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1500/900 MBps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, случайный доступ: 900000/700000 IOps, SLC-кэш

M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/1200 MBps, случайный доступ: 210000/315000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6300 MBps, случайный доступ: 800000/1100000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe)