Оперативная память

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38-80, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-84, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2133 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15-28, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В