Найдено 575 товаров
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 10000/8500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 10000/8500 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/150000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 200000/150000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6200 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6200 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/480 MBps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/480 MBps
2.5", PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 100000/180000 IOps
2.5", PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 100000/180000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5200/4700 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 MBps, случайный доступ: 670000/670000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 MBps, случайный доступ: 670000/670000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/36000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/36000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison S11, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison S11, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps